広報・広聴活動プレスリリース

2019年06月10日

ニューラルネットワークでフラッシュメモリの寿命を予測 ~出荷先の選別の自動化に期待~

概 要

 中央大学 理工学部 教授 竹内 健のグループは、フラッシュメモリがデータを保持できる時間や、読み出し可能な回数といった「メモリの寿命」を、ニューラルネットワークによって出荷前に予測する技術を開発しました。スマートフォンやパソコン、クラウドデータセンタのSSD、ストレージなどに使われているフラッシュメモリですが、データを記憶する寿命に制約があり、しかも、メモリの寿命は実際に使ってみなければわからない、という問題があります。今回、ニューラルネットワークを用いて事前に(工場で出荷前に)、データを保持できる時間や読み出し可能な回数を予測することで、長いデータ保持が求められるアーカイブなどの市場や、頻繁に読み出しが行われる市場それぞれに、適したメモリを出荷する(選別する)ことが自動的に可能になると期待されます。
 また、出荷後には、ニューラルネットワークを用いて、エラーしているメモリセルを検出することも可能になり、その結果エラーを訂正することも可能になるため、フラッシュメモリの耐久性の向上にも貢献します。本技術により、幅広い用途で要求される様々な寿命(信頼性)を的確に満たすことができるため、フラッシュメモリが更に多くの用途で使用され、フラッシュメモリの市場の拡大が期待されます。

 本研究は、JSTの委託事業である戦略的創造研究推進事業 チーム型研究(CREST)の研究領域「素材・デバイス・システム融合による革新的ナノエレクトロニクスの創成」の研究題目「デジタルデータの長期保管を実現する高信頼メモリシステム」において実施されたものです。

 本研究成果は、2019年6月10日から6月14日に京都で開催された「IEEE Symposia on VLSI Technology」で発表されます。

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【研究者】    竹内 健    中央大学理工学部 教授(電気電子情報通信工学科)

【発表(雑誌・学会)】 
 本研究成果は、2019年6月10日から6月14日に京都で開催される「IEEE Symposia on VLSI Technology」で発表されました。
論文名: Pre-shipment Data-retention/Read-disturb Lifetime Prediction & Aftermarket Cell Error Detection & Correction by Neural Network for 3D-TLC NAND Flash Memory

【研究内容】以下よりご確認いただけます

      プレスリリース全文

【お問い合わせ先】 
<研究に関すること>
竹内 健 (タケウチ ケン) 
中央大学理工学部 教授(電気電子情報通信工学科)
TEL: 03-3817-7374
E-mail: takeuchi◎takeuchi-lab.org

<広報に関すること>
加藤 裕幹  (カトウ ユウキ)
中央大学 研究支援室 
TEL 03-3817-1602,FAX 03-3817-1677
E-mail: k-shien◎tamajs.chuo-u.ac.jp

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