理工学部教授 竹内 健：TLCフラッシュメモリの研究成果をプレスリリース

理工学部教授（電気電子情報通信工学科）竹内 健の研究成果をプレスリリースしました。

 

大容量で低コストな TLC（Triple Level Cell）フラッシュメモリの読み出しに伴うエラーを 85%削減し、読み出し可能な回数を 6.7倍に増加させることに成功しました。本研究は、データの特徴（アクセス頻度等）をメモリが自動的に判別し、データを特徴別に異なるメモリ領域に格納し、最適な読み出し電圧を印加することで読み出しに伴うエラーの削減と読み出し可能回数の増加を可能にしたものです。

 

現在、TLC フラッシュメモリは主にスマートフォンやタブレットなどに使われていますが、本技術を発展させることで安定した読み出しが可能となり、メモリのさらなる高信頼化・高速化が図られます。その結果、フラッシュメモリの次の主力市場として期待されるクラウドデータセンタの記憶媒体としての使用が期待できます。
 

本研究は、JST の委託事業である戦略的創造研究推進事業 チーム型研究（ＣＲＥＳＴ）の研究領域「素材・デバイス・システム融合による革新的ナノエレクトロニクスの創成」の研究題目「デジタルデータの長期保管を実現する高信頼メモリシステム」において実施されたものです。

 

本研究成果は、２０１６年６月１３日から１６日にホノルルで開催される「IEEE Symposium on VLSI Technology」で発表されました。

 

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