研究開発機構 竹内 健ユニット：次世代メモリー“ReRAM”の高信頼化・高速化技術を「半導体のオリンピック」で発表

理工学部教授（電気電子情報通信工学科）竹内 健は、この度、高速・大容量・高信頼のＳＳＤメモリー・無線ネットワーク基盤技術の開発に成功し、プレス発表を行いました。

竹内および慶應義塾大学 理工学部の黒田 忠広 教授と石黒 仁揮 准教授らの研究チームは、近年ハードディスク（ＨＤＤ）の代わりとして利用されている非接触型の固体記憶媒体ソリッド・ステート・ドライブ（ＳＳＤ）の研究開発を進め、ビッグデータ時代に必要となる高速・リアルタイムの無線・大容量データ処理技術に道を開きました。
今回、１）高速に書き換えが可能な抵抗変化型メモリー（ＲｅＲＡＭ）のエラーを８割削減し性能を３３倍高速化する誤り訂正システム、２）配線をクリップで挟むだけで信号接続でき、従来比３０％軽量・２０倍高速な車載ネットワークを構築できる電磁界コネクタ、の２つの革新的新技術を開発しました。
新技術１により、ＤＲＡＭのように高速でフラッシュメモリーのように大容量の「夢のメモリー」抵抗変化型メモリーが実用化に近づきました。パソコン・スマートフォンのバッテリーの長寿命化やデータセンターに使われる記憶装置（ストレージ）のけた違いの高速化、低電力化が期待されます。新技術２により、自動車の配線を３０％軽量化し燃費を１．２％改善できます。また、車載ネットワークを２０倍高速化し高度な情報処理ができるようになり、自動運転技術の実用化が近づきます。
この基本技術は、クラウドデータセンターや自動車の無人自動運転など、将来のビッグデータのサービス基盤に大きく寄与するものと期待されます。

本研究成果は、２０１４年２月９日から１３日（米国西部時間）に米国・サンフランシスコで開催される「国際固体素子回路会議（ＩＳＳＣＣ ２０１４）」で発表されました。ＩＳＳＣＣは、半導体に関する世界最大規模の国際会議であり、「半導体のオリンピック」と呼ばれています。採択は非常に厳しく、本学からの発表は２年連続２度目の快挙となります。

本研究は独立行政法人科学技術振興機構 CREST「ディペンダブル ワイヤレス ソリッド・ステート・ドライブ（ＳＳＤ）」の支援を受け、本学研究開発機構「高信頼低電力VLSIメモリシステム研究プロジェクト」にて実施しています。

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