「デジタルデータの1000年記憶を目指して」：研究開発機構 竹内健ユニットの研究成果を発表

理工学部教授（電気電子情報通信工学科）竹内 健が代表を務める研究開発機構「高信頼低電力VLSIメモリシステム研究プロジェクト」は、この度、デジタルデータの長期保存を目指したソリッド・ステート・ドライブ（SSD）のエラーの８０％低減に成功し、プレス発表を行いました。

概要：インターネットの発達で音楽、映像、文書などのデジタルデータが急増しています。しかし、 データを100年、1000年先まで長期保存するメモリ技術は確立されていません。今回、データの長期保存を目指して、フラッシュメモリを記憶媒体とするソリッド・ステート・ドライブ（SSD）のエラーを８０％低減する技術を開発しました。１つのメモリセルに３ビット記憶する大容量フラッシュメモリに対して、７個の状態を効率的に使用することで、大容量と高い信頼性を両立しました。また、企業向けサーバーのような、データを頻繁に書き換える応用製品に対しても、適応制御型の信号変調方法を提案し、メモリのエラーを５０％削減することに成功しました。以上の技術により、SSDはスマートフォンやPCだけでなく、企業向けサーバー、クラウドデータセンタや100年、1000年といった長期にデータを保存するデジタルアーカイブなど幅広い分野への応用が期待されます。

本研究成果は、２０１４年６月１０日から１３日に米国・ハワイで開催された「ＶＬＳＩ回路シンポジウム」で発表されました。

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