理工学部教授 竹内健：「忘れられる権利」を実現するメモリを開発

理工学部教授（電気電子情報通信工学科）竹内 健のグループは、インターネットにおけるプライバシー保護のため、「忘れられる権利」を実現するメモリシステムの開発に成功しました。

 

インターネット上に過去に書き込まれた誤った情報、プライバシー情報によって将来にわたって不利益を被ることが問題となっており、デジタルデータの「忘れられる権利」が注目されています。データが忘れられる（削除されるべき）かは「知る権利」「表現の自由」も考慮して判断されるべき難しい問題で、データの作成者や内容に応じた対応が必要です。
今回の研究では、SNSなどに書き込んだデータの寿命をあらかじめ設定することで、指定した時点で自動的にデータが壊れるメモリシステムを開発しました。この新システム（Privacy-protection Solid-State Storage（PP-SSS）System）は、データが記憶されるメモリ上のデータを、ユーザーが決めた時点で自動的に壊し再現不能にすることで、より高いプライバシーを担保する「忘れられる権利」を実現します。具体的には、フラッシュメモリのエラー確率が高い精度で予測できる特徴を利用し、データをメモリに書き込む時点で寿命に応じた所定の数のエラーを意図的に注入することで、指定した時点でデータは壊れ、誤りが訂正できないようになります。
本システムは、指定した時点でデータを意図的に誤るように制御できるので、メモリデバイス自体は物理的には破損しておらず、メモリは再利用が可能です。
HDDや磁気テープ、DVDなど機械部品を使った従来の記憶媒体では、機械部分の疲労や破壊の予測が難しいため、データの寿命の予測や制御は困難でした。一方、本システムは半導体製品であるフラッシュメモリを記憶媒体として採用し、リーク電流によるフラッシュメモリのデータ破壊（エラーが生じていく）の予測が可能であることを利用することで、データ寿命を自在に制御できます。このことから半導体メモリの新しい市場ができることも期待されます。
 

本研究は、新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）の委託事業であるエネルギー・環境新技術先導プログラム「IoT時代のCPSに必要 な極低消費電力データセントリック・コンピューティング技術」の成果として、研究開発機構「データ・セントリック・コンピューティング」において実施されたものです。

本研究成果は、２０１５年６月１５日から１９日に京都で開催された「IEEE Symposium on VLSI Circuits」で発表されました。

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