「カーボンナノチューブを使った半導体メモリNRAM」：研究開発機構 竹内健ユニットの研究成果を発表

理工学部教授（電気電子情報通信工学科）竹内 健が代表を務める研究開発機構「高信頼低電力VLSIメモリシステム研究プロジェクト」は、この度、カーボンナノチューブを使った半導体メモリNRAMの高速、低電力、高信頼な基本動作の実証に成功し、プレス発表を行いました。

概要：カーボンナノチューブを用いた半導体メモリ（NRAM）に最適な書き込み方法を提案し、１４０ナノメートルサイズの単体の素子の測定を行い、高速、低電力、大容量、高信頼な基本的な動作を世界で初めて実証しました。２０ナノ秒の短い書き込みパルスで、２０マイクロアンペア以下という高速かつ低電力な書き換えが可能です。書き換え時には１００倍以上の大きな抵抗の変化が得られ、1つのメモリセルに複数のビットを記憶する、大容量なMLC（多値記憶）動作の可能性を示しました。また、信頼性に関してはフラッシュメモリの１０００万倍に相当する、１０００億（１０の11乗）回の書き換えが可能であることを示しました。今後は１０ナノメートルまで微細化し、ギガビット以上の統計データを評価することが必要ですが、以上の結果は将来NRAMが「ユニバーサルメモリ」としてメインメモリ（DRAM）からストレージ（HDDやSSD）まで様々なメモリを置き換え、スマートフォンから企業向けサーバーまで、幅広いIT機器の高速化、低電力化、高信頼化に貢献する潜在力があることを示しています。

本研究成果は、２０１４年６月９日から１２日に米国・ハワイで開催された「ＶＬＳＩテクノロジシンポジウム」で発表されました。

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