メモリに記憶されるデータの特徴を判別してTLCフラッシュメモリの読み出し方法を最適化～読み出し可能回数が 6.7 倍に増加～ クラウドデータセンタ記憶媒体への展開に期待

　中央大学 理工学部 教授 竹内 健のグループは、大容量で低コストな TLC（Triple Level Cell）フラッシュメモリ^注１）の読み出しに伴うエラーを 85%削減し、読み出し可能な回数を 6.7倍に増加させることに成功しました。本研究は、データの特徴（アクセス頻度等）をメモリが自動的に判別し、データを特徴別に異なるメモリ領域に格納し、最適な読み出し電圧を印加することで読み出しに伴うエラーの削減と読み出し可能回数の増加を可能にしたものです。

 

　現在、TLC フラッシュメモリは主にスマートフォンやタブレットなどに使われていますが、本技術を発展させることで安定した読み出しが可能となり、メモリのさらなる高信頼化・高速化が図られ、フラッシュメモリの次の主力市場として期待されるクラウドデータセンタ^注２）の記憶媒体としての使用が期待できます。
 

　本研究は、JST の委託事業である戦略的創造研究推進事業 チーム型研究（ＣＲＥＳＴ）の研究領域「素材・デバイス・システム融合による革新的ナノエレクトロニクスの創成」の研究題目「デジタルデータの長期保管を実現する高信頼メモリシステム」において実施されたものです。

 

　本研究成果は、２０１６年６月１３日から１６日にホノルルで開催される「IEEE Symposium on VLSI Technologｙ」で発表されました。
 

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【研究者】
竹内 健 中央大学理工学部 教授（電気電子情報通信工学科）

 

【発表（雑誌・学会）】
本研究成果は、２０１6 年６月１３日から１６日にホノルルで開催された「IEEE Symposium on VLSI Circuits」で発表されました。
論文名：Versatile TLC NAND Flash Memory Control to Reduce Read Disturb Errors by 85% and Extend Read Cycles by 6.7-times of Read-Hot and Cold Data for Cloud Data Centers

 

研究内容の詳細は下記PDFよりご覧ください。

 

【お問い合わせ先】

＜研究に関すること＞

　竹内 健 （タケウチ ケン）

　中央大学理工学部 教授（電気電子情報通信工学科）

　　TEL： 03-3817-7374

　　E-mail: takeuchi@takeuchi-lab.org

 

＜広報に関すること＞

　加藤 裕幹 （カトウ ユウキ）

　中央大学 研究支援室

　　TEL 03-3817-1603，FAX 03-3817-1677

　　E-mail: k-shien@tamajs.chuo-u.ac.jp